Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (6)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Andrievskii V$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 7
Представлено документи з 1 до 7
1.

Berkutov I. B. 
Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties [Електронний ресурс] / I. B. Berkutov, V. V. Andrievskii, Yu. F. Komnik, O. A. Mironov // Физика низких температур. - 2017. - Т. 43, № 10. - С. 1515-1520. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2017_43_10_12
Multisubband transport of the p-type Si0,4Ge0,6/Ge/Si0,4Ge0,6 heterostructure has been investigated by means of magnetotransport measurements at low temperatures and high magnetic fields. Two frequency Shubnikov - de Haas oscillations indicate occupation of two subbands. This allows us to determine the densities and mobilities of the charge carriers on each subband. Shubnikov - de Haas oscillations reveal two 2D conduction subbands with carrier effective masses of 0,112m0 and 0,131m0. The quantum Hall ferromagnetic states which results from the crossing of two Landau levels with opposite spin and different subband was observed in SiGe systems for the first time.
Попередній перегляд:   Завантажити - 977.529 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Berkutov I. B. 
The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied [Електронний ресурс] / I. B. Berkutov, V. V. Andrievskii, Yu. A. Kolesnicheko, Yu. F. Komnik, O. A. Mironov // Фізика низьких температур. - 2018. - Т. 44, № 8. - С. 1018-1024. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2018_44_8_11
The charge carrier overheating effect was studied in the p-type Si0,4Ge0,6/Ge/Si0,4Ge0,6 heterostructure with two subband occupy. The temperature dependences of hole-phonon relaxation time <$E tau sub {h- roman ph}> at weak magnetic fields demonstrated transition of the 2D system from regime of "partial inelasticity" characterized by dependence <$E tau sub {h- roman ph} sup -1~symbol Х~T sup 2> to regime of small-angle scattering, described by dependence <$E tau sub {h- roman ph} sup -1~symbol Х~T sup 5> with temperature increase. But in higher magnetic fields the dependence <$E tau sub {h- roman ph} sup -1~symbol Х~T sup 3> manifests itself on dependences <$E tau sub {h- roman ph} (T sub {h- roman ph})>. The possible explanations of such dependences are discussed.
Попередній перегляд:   Завантажити - 916.557 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Berkutov I. B. 
Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination [Електронний ресурс] / I. B. Berkutov, V. V. Andrievskii, Yu. F. Komnik, Yu. A. Kolesnichenko, R. J. H. Morris, D. R. Leadley, O. A. Mironov // Физика низких температур. - 2012. - Т. 38, № 12. - С. 1455-1463. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2012_38_12_12
The Shubnikov - de Haas oscillations method of the effective mass extraction was illustrated by the magnetotransport properties investigation of two-dimensional hole gas in Si1-xGex (x = 0,13, 0,36, 0,95, 0,98) QWs. We have found that for certain samples our data cannot be fitted to standard theoretical curves in which the scattering of charge carriers is described by conventional Dingle factor. It is demonstrated that reasons of deviations of the experiment from the theory are as follows; influence of the spin splitting on amplitude of SdH oscillations maxima; extra broadening of the Landau levels attributed to existence of inhomogeneous distribution of the carrier concentration; the influence of the concurrent existence of short and long-range scattering potentials; the population of second energy level in the quantum well. The ways to calculate the effective masses m<^>* of holes in all cases are presented and values of m<^>* are found for studied heterostructures.
Попередній перегляд:   Завантажити - 582.095 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Andrievskii V. 
Application of Dzyadyk’s polynomial kernels in the constructive function theory [Електронний ресурс] / V. Andrievskii // Український математичний журнал. - 2019. - Т. 71, № 2. - С. 151-157. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UMJ_2019_71_2_4
Попередній перегляд:   Завантажити - 236.354 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Berkutov I. B. 
The characteristic parameters of charge carriersin the p-type Si0.2Ge0.8 quantum well with two subbands occupied [Електронний ресурс] / I. B. Berkutov, V. V. Andrievskii, Yu. F. Komnik, Yu. A. Kolesnichenko, A. I. Berkutova, O. A. Mironov // Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія : Фізика. - 2015. - Вип. 23. - С. 52-56. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKhIF_2015_23_13
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.618 Mb    Зміст випуску     Цитування
6.

Berkutov I. B. 
The galvanomagnetic properties of two-dimensional conducting systems formed by nanocrystallites CrSi2 in the plane (111) of Si single crystals with a different type of conductivity [Електронний ресурс] / I. B. Berkutov, V. V. Andrievskii, I. G. Mirzoiev, Yu. F. Komnik, N. G. Galkin, D. L. Goroshko // Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія : Фізика. - 2015. - Вип. 23. - С. 110-116. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKhIF_2015_23_25
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.032 Mb    Зміст випуску     Цитування
7.

Ovsiienko I. V. 
Magnetoresistance of graphite nanoplatelets with different structure [Електронний ресурс] / I. V. Ovsiienko, T. A. Len, O. A. Syvolozhskyy, L. Yu. Matzui, I. G. Mirzoiev, V. V. Andrievskii, E. Yu. Beliayev // Фізика низьких температур. - 2021. - Т. 47, Вип. 10. - С. 928-937. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2021_47_10_10
Досліджено магнітоопір об'ємних зразків графітових нанопластинок, отриманих різними методами, в магнітних полях до 2,2 Тл. Для графітових нанопластинок, приготованих хімічною обробкою вихідного графіту розчином перманганату калію в сірчаній кислоті, магнітоопір є від'ємним. Цей від'ємний магнітоопір можна пояснити з погляду моделі слабкої локалізації носіїв заряду в системі з недосконалою структурою. Для графітових нанопластинок, отриманих методом ультразвукової обробки, магнітоопір є додатним і не залежить від температури. Більш того, в магнітному полі понад ~ 0,7 Тл магнітоопір є лінійним щодо магнітного поля. Показано, що лінійний магнітоопір можна пояснити з погляду квантового лінійного магнітоопору моделі Абрикосова.
Попередній перегляд:   Завантажити - 3.933 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського